Simulation von Halbleiterbauelementen

Fakultät Elektrotechnik

Simulation von nanoelektronischen Halbleiterbauelementen und elektromagnetischen Feldern

  • Integration von FinFET-Strukturen
  • Mechanisch verspannte Halbleiterstrukturen
  • Zufällige Dotierungs-Fluktuationen
  • Rekonfigurierbare Feld-Effekt-Transistoren (RFET)
  • RF-Charakterisierung hochintegrierter MOSFETs
  • Niederfrequenz-Rauscheinflüsse von FDSOI-Transistoren
  • Simulation von FDSOI-Strukturen