Simulation von nanoelektronischen Halbleiterbauelementen
- Integration von FinFET-Strukturen
- Mechanisch verspannte Halbleiterstrukturen
- Rekonfigurierbare Field-Effekt-Transistoren (RFET)
- RF-Charakterisierung hochintegrierter MOSFETs
- Niederfrequenz-Rauscheinflüsse von FDSOI-Transistoren
- Simulation von FDSOI-Strukturen
Prof. Dr.-Ing. habil. Roland Stenzel
Rektor a.D. / Vorsitzender des Fördervereins der HTWD
- Z 412
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